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财联社8月24日讯(编辑 马兰)人工智能数据中心使用的高带宽内存(HBM)技术正在出现重大转向。
B | 36岁的邓静2023年确诊为乳腺癌中晚期,她写下了100个人生遗愿清单,并拍下短视频,她表示,想给孩子留个念想。 据南风窗:邓静今年36岁,是一名乳腺癌晚期患者,经过6次化疗、乳房切除手术和25次放疗后,医生预计她的寿命只剩3-6个月。SK海力士美国公司副总裁Lee Jae-sik最新表示,未来行业不仅需要关注HBM本身,还需要关注封装技术如何影响HBM。对一个癌症晚期的患者来说,没有什么比活着更困难,比死亡更简单的事情。

C | 放疗化疗的痛苦,除了患者本人,谁也不能感同身受。“吃也吃不下,睡也睡不着”,邓静觉得,自己每次治疗都是咬紧牙关过的。 在完成人生遗愿的过程中,邓静觉得,自己的心也在慢慢填满:挑战“陪孩子一天”时,邓静陪大儿子逛街,第一次没有要求地满足他所有心愿,但孩子只希望妈妈能像生病前一样,接自己放学;完成遗愿“给母亲的告白”时,邓静和母亲去西来寺祈福,第一次跟母亲讲起小时候不被偏爱的委屈;遗愿“给家人留下全家福”,是希望自己走后,能给他们留下永恒的回忆…… (中国小康网综合@南风窗)。

D | Lee在当地时间23日出席了美国斯坦福大学举行的半导体会议Hot Chips 2026,并发表了题为“HBM的高科技封装”演讲。他表示,在人工智能半导体时代,为了确保竞争力,不仅HBM本身的性能需要优化,GPU、封装和代工工艺也必须进行优化。目前,SK海力士的HBM采用三维堆叠式设计,通过硅通孔将多个核心芯片连接到一个基底芯片上。HBM目前最高可达16层堆叠。

E | 封装技术则采用了MR+MUF(回流焊+注塑底部填充)。

F | 相比于TC+NCF(热压+非导电薄膜),MR+MUF生产效率更高,热阻更低,但更容易发生芯片翘曲,并且存在间隙填充方面的不足。但SK海力士结合了翘曲控制和精细间距集成及窄间隙填充新技术,成功提高了现有HBM的性能。SK海力士还在开发混合键合封装技术,以实现超越16层堆叠的20层或更多层的目标。该技术可在相同高度下将核心芯片厚度增加高达24%,并通过消除现有微凸点并直接连接芯片,将凸点间距缩小至18微米以下。此外,该技术有望通过更高效的散热来减少发热问题。
携手优化的时代与现有存储器不同,HBM在人工智能半导体中首先被组装到中介层上。Lee指出,过去存储器是在系统组装的最后阶段安装的,但在人工智能时代截然不同,这要求HBM的可靠性更加重要。他补充称,HBM必须承受后续工艺中产生的热量和机械应力,因此与客户进行联合开发至关重要。这也意味着,内存厂商、GPU设计商、代工厂和封装厂商必须从一开始就进行协同设计。

G | SK海力士还在会上发布了一项用于冷却HBM内部特定区域“热点”的技术。

H | Lee表示,HBM的输入/输出速度越快,热量就越集中在某些区域。正在开发的iHBM技术通过添加耐高温导热材料,只对热量集中的区域进行集中冷却,而非对整个HBM进行冷却。他还指出,HBM的带宽和容量未来将继续增长,但发热、功耗和封装将成为更大的挑战,这要求客户、代工厂和封装公司必须携手优化。
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Published on:20:13:23
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