8090

A |     

    
    　　名记 Tim MacMahon 与 Brian Windhorst 做客《Hoop Collective》播客节目，聊到了克莱-汤普森的相关交易流言。    据英国《金融时报》7月20日报道，半导体板块此前持续暴涨的行情已然止步，投资者开始警惕一个老生常谈的风险：周期属性极强的存储芯片行业或将再度陷入产能过剩。
    
    　　Tim MacMahon 透露，在热火与独行侠围绕克莱展开的交易沟通中，达拉斯方面并不希望得到尼古拉-约维奇。                   尽管三星电子最新季度业绩指引好于市场预期，但该股股价较6月高点已下跌1/3；SK海力士美股上市表现亮眼，但其韩国本土股价暴跌近40%；美光股价跌幅也超30%。
    
    　　Brian Windhorst 补充了一则背景案例：此前热火完成字母哥那笔重磅交易时，雄鹿几乎可以任选队内除阿德巴约之外的球员，而约维奇当时并没有被放进交易筹码包内。          该图片疑似使用了AI生成技术，请谨慎甄别          股价的剧烈波动，折射出当下一场高风险博弈：一边是人工智能（AI）数据中心催生海量存储芯片需求，另一边是各大厂商斥巨资大举扩产、供给持续放量。如今半导体企业市值跻身全球前列，这场供需博弈的最终走向，将影响数百万投资者的收益。         首尔成均馆大学教授权锡俊警告，若AI需求不及预期，几大存储巨头的扩产规划或将在2028年推高行业库存，引发供给过剩。

B |                    全球芯片巨头加大投资                    近年来，AI模型训练和推理需求快速增长，对服务器性能提出更高要求，存储芯片成为AI基础设施的重要组成部分。
    
    　　Tim MacMahon 进一步表示，独行侠不想为了送走克莱，就吃下约维奇这份长合同。尤其是‌高带宽内存（HBM），由于能够满足人工智能计算过程中高速数据传输需求，已成为全球芯片企业争相布局的重要领域。         SK海力士已公布规模达1100万亿韩元的投资计划，即2033年前，在龙仁投资600万亿韩元建设四座动态随机存取存储器‌（DRAM）工厂、向清州闪存厂区投入100万亿韩元，并在韩国西南部投资400万亿韩元打造全新半导体产业集群。该公司高管近期多次表态，拟未来5年实现产能翻倍，到2034年实现产能翻三倍。尽管现阶段这份合同的市场评价不算理想，但球员本人仅仅只有 23 岁，依旧保有年龄潜力。         三星电子也公布了大规模半导体投资计划：2040年前，将在韩国本土半导体业务投入2100万亿韩元，但未明示存储代工与晶圆代工板块各自的投资金额。         美国存储芯片企业美光科技同样加快了全球产能布局。
    
    　　约维奇上赛季和热火完成续约，签下一份总金额 6240 万美元、为期四年的合约，这份合同将执行到 29‑30 赛季。

C | 上个赛季常规赛，他场均交出 7.3 分 3.3 篮板 2.2 助攻，投篮、三分以及罚球命中率分别为 36.6%、26.8%、68.3%。

D |
    
    　　此前有消息报道，克莱已经和独行侠达成买断，随后加盟迈阿密热火，双方签下一份 2 年 1150 万美元的合同。

E | 该公司承诺，2035年前将在美国投资超2500亿美元，在爱达荷、纽约、弗吉尼亚州新建晶圆厂，同时加码日本广岛DRAM工厂与印度等全球生产基地。         与此同时，大型科技企业仍在持续建设人工智能基础设施。

F | 微软、亚马逊、谷歌母公司Alphabet以及元公司（Meta）等均计划增加数据中心投资，对高性能计算芯片和存储产品形成持续需求。

G |                    中国或改变全球芯片供应格局                    不过，与其他半导体领域相比，存储芯片行业具有较强周期属性。过去几十年，行业多次经历繁荣与萧条。上世纪90年代，该赛道尚有约20家玩家，如今全球仅存上述三大头部供应商。

H |          虽然三巨头未来投资计划中的新建厂区大多要到2030年后才能投产，但未来15年整体扩产投入巨大，市场担忧新一轮产能过剩周期将至。

I |          《金融时报》报道称，近期全球主要存储芯片企业的股价波动，反映出市场对于行业未来供需关系的重新评估。部分投资者开始关注，人工智能基础设施投入是否能够持续转化为企业利润，以及当前扩产计划是否可能导致未来供应压力增加。         不过，有分析人士指出，本轮存储芯片周期与过去存在一定差异。

J |          麦格理首尔分析师金丹尼尔解释道：HBM晶圆耗用成本持续走高，同时DRAM制程微缩技术难度不断加大。生产AI核心的HBM芯片，需要消耗远多于普通DRAM的硅片。于是，在DRAM供不应求的格局下，下游客户已与三星、SK海力士、美光签订了多年长期协议，优先锁定产能供给。         在权锡俊看来，HBM高度定制化，出现供给过剩的概率更低，但通用DRAM或在2029年迎来产能过剩。未来几年，中国存储产业的发展可能成为改变全球存储芯片供应格局的最大变量。         “中国是决定行业周期走向的关键变量。韩国厂商表示会根据市场行情调整投资节奏，但如果中国企业扩产力度超出预期，韩企将很难把控全球供给总量。”权锡俊说。         摩根士丹利测算，2028年前，中国新增DRAM晶圆产能将占全球增量的30%，规模仅次于韩国。                             记者 程慧 实习生 袁祥书瑞          文字编辑 王哲希。